Dr. MOS est la solution d'amplification intégrée optimisée pour les applications de conversion de tension Buck synchrone. Par rapport aux MOSFET discrets traditionnels, elle fournit intelligemment un courant plus élevé pour chaque phase, ce qui améliore les performances thermiques et la performance globale. Comparé à l'emplacement DIP-PCIe traditionnel, l'emplacement SMT-PCIe améliore le flux de signal et maximise la stabilité à haute vitesse. C'est une avancée majeure pour prendre pleinement en charge la vitesse optimale de la norme PCIe 5.0. La norme PCI Express 5.0 est capable d'atteindre une bande passante impressionnante de 128 Go/s et de libérer tout le potentiel des futures cartes graphiques haut de gamme.