Avec la 3D V-NAND (également appelée V-NAND ou 3D NAND), les transistors sont disposés verticalement par rapport à la surface de la puce, et les lignes de mémoire flash sont empilées en couches. Cela permet d'atteindre une densité de stockage plus élevée tout en réduisant le risque d'interférences entre les cellules. Grâce aux connexions raccourcies entre les cellules, la performance électrique augmente et la consommation d'énergie diminue.